A tudósoknak sikerült egy tranzisztort létrehozniuk beépített FeRAM memóriával
Történt, hogy az adatfeldolgozás és a tárolás teljesen más eszközök feladata. A számítási sejtek memóriacellákba történő integrálása pedig nemcsak a sűrűség további növelésére kínál lehetőséget elemek elrendezése a kristályon, hanem létrehoz egy eszközt, amely lényegében hasonlít az emberre agy.
Egy ilyen fejlődésnek minden esélye megvan arra, hogy hatalmas lendületet adjon a mesterséges intelligencia fejlődésének.
A tudományos központ amerikai kutatói szerint Purdue Discovery Park Birck Nanotechnológiai Központ A Purdue Egyetemen a kapu cella (1T1C) szerkezetének maximális tömörítéséhez szükség van egy ferroelektromos (ferroelektromos) memória cellára, amely egy tranzisztorral van kombinálva.
Ezenkívül a sűrűség szempontjából teljesen lehetséges egy magnetorezisztív alagút csatlakozás építése közvetlenül a tranzisztor alatti kontaktcsoportba.
A tudósok közzétették kísérleteik eredményeit a folyóiratban Nature Electronics, ahol részletesen ismertették minden tudományos kutatásukat, amelynek eredményeként sikerült ferroelektromosból létrehozniuk egy beépített alagút-kereszteződésű tranzisztort.
Munkájuk során sikerült megoldaniuk egy nagyon fontos problémát. Végül is a ferroelektromos elemeket rendkívül széles sávréssel rendelkező dielektrikumoknak tekintik, amelyek blokkolják az elektronok áthaladását. A félvezetőkben például szilíciumban az elektronok akadálytalanul haladnak.
Ezenkívül a ferroelektromos elemeknek még egy tulajdonságuk van, ami semmiképpen sem teszi lehetővé, hogy egyetlen szilíciumkristályon tranzisztorokkal együtt memóriacellákat hozzanak létre.
Mégpedig: a szilícium nem kompatibilis a ferroelektromossággal, mivel képletesen szólva ők "marják" őket.
E negatív szempontok semlegesítése érdekében a tudósok egy ferroelektromos tulajdonságokkal rendelkező félvezető megtalálására vállalkoztak, és ez sikerült is.
Kiderült, hogy ez az anyag szelenid-alfa-indium. Végül is meglehetősen kicsi a sávszélessége, és képes elektron áramlását továbbítani. És mivel ez egy félvezető anyag, egyszerűen nincsenek akadályai a szilíciummal való kombinációjának.
Számos tanulmány, laboratóriumi teszt és komplex szimuláció bizonyította, hogy kellő időben optimalizálásával a létrehozott, beépített memóriával rendelkező tranzisztor jelentősen felülmúlhatja a meglévő mezőhatást tranzisztorok.
Ugyanakkor az alagút kereszteződésének vastagsága ma már csak 10 nm, de a tudományos csoport képviselői szerint ez a paraméter csak egy atom vastagságára csökkenthető.
Ez a rendkívül sűrű elrendezés az egész emberiséget egy lépéssel közelebb hozza egy olyan ambiciózus projekt megvalósításához, mint a Mesterséges Intelligencia.
Szeretném hangsúlyozni, hogy a finanszírozás nagy része a Pentagon által nyújtott támogatásokból származik, ami felvet néhány gondolatot.
Tetszett az anyag, aztán remek és tetszik tőled! Írja meg a kommentekben is, talán amerikai tudósok fejlesztenek valamiféle Skynet analógot?